產(chǎn)品規(guī)格及說(shuō)明 | |
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加工定制:是 | 用途:UV測(cè)試 |
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就是指內(nèi)存…數(shù)字指內(nèi)存是第幾代的…數(shù)字越大越新
其他答案1:
http://www.masxsgy.cn />這里是百度百科的詳細(xì)解釋,在這里我就不班門(mén)弄斧了……
其他答案2:
ddr
[編輯本段]釋意一:內(nèi)存
DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存
嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。
SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。
與SDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí),存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來(lái)精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個(gè)針腳,主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍。
什么是 DDR1?
有時(shí)候大家將老的存儲(chǔ)技術(shù) DDR 稱為 DDR1 ,使之與 DDR2 加以區(qū)分。盡管一般是使用 “DDR” ,但 DDR1 與 DDR 的含義相同。
什么是 DDR2?
DDR2 是 DDR SDRAM 內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。它在 DDR 內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上加以改進(jìn),從而其傳輸速度更快(可達(dá) 667MHZ ),耗電量更低,散熱性能更優(yōu)良 .
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。Q句話說(shuō),DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。
DDR3與DDR2幾個(gè)主要的不同之處 :
1.突發(fā)長(zhǎng)度(Burst Length,BL)
由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(Burst Length,BL)也固定為8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時(shí)可通過(guò)A12地址線來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。
2.尋址時(shí)序(Timing)
就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間,而DDR3則在5~11之間,且附加延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0~4,而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫(xiě)入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。
DDR2內(nèi)存的頻率
其中 DDR2 的頻率對(duì)照表如右圖所示。
3.DDR3新增的重置(Reset)功能
重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能,并為此專門(mén)準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能,如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí),DDR3內(nèi)存將停止所有操作,并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài),以節(jié)約電力。
在Reset期間,DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能,所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉,所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位,DLL(延遲鎖相環(huán)路)與時(shí)鐘電路將停止工作,而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái),將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能
ZQ也是一個(gè)新增的腳,在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集,通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后,將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期(在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期,在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期)對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。
參考電壓分成兩個(gè)
在DDR3系統(tǒng)中,對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào),即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ,這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接(Point-to-Point,P2P)
這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng),也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中,一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道,而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽,因此,內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)(P2P)的關(guān)系(單物理Bank的模組),或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)(Point-to-two-Point,P22P)的關(guān)系(雙物理Bank的模組),從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM(臺(tái)式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(服務(wù)器)之分,其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2(高級(jí)內(nèi)存緩沖器)。
面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢(shì),此外,由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎,就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域,DDR3未來(lái)也是一片光明。目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其將支持DDR3規(guī)格,而AMD也預(yù)計(jì)同時(shí)在K9平臺(tái)上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。
5.DDR4
據(jù)介紹美國(guó)JEDEC將會(huì)在不久之后啟動(dòng)DDR4內(nèi)存峰會(huì),而這也標(biāo)志著DDR4標(biāo)準(zhǔn)制定工作的展開(kāi)。一般認(rèn)為這樣的會(huì)議召開(kāi)之后新產(chǎn)品將會(huì)在3年左右的時(shí)間內(nèi)上市,而這也意味著我們將可能在2011年的時(shí)候使用上DDR4內(nèi)存,最快也有可能會(huì)提前到2010年。
JEDEC表示在7月份于美國(guó)召開(kāi)的存儲(chǔ)器大會(huì)MEMCON07SanJose上時(shí)就考慮過(guò)DDR4內(nèi)存要盡可能得繼承DDR3內(nèi)存的規(guī)格。使用Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號(hào))信號(hào)方式則表示64-bit存儲(chǔ)模塊技術(shù)將會(huì)得到繼承。不過(guò)據(jù)說(shuō)在召開(kāi)此次的DDR4峰會(huì)時(shí),DDR4 內(nèi)存不僅僅只有Single-endedSignaling方式,大會(huì)同時(shí)也推出了基于微分信號(hào)存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)的DDR4內(nèi)存。
DDR4規(guī)格
因此DDR4內(nèi)存將會(huì)擁有兩種規(guī)格。其中使用Single-endedSignaling信號(hào)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率已經(jīng)被確認(rèn)為1.6~3.2Gbps,而基于差分信號(hào)技術(shù)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達(dá)到6.4Gbps。由于通過(guò)一個(gè)DRAM實(shí)現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的,因此DDR4內(nèi)存將會(huì)同時(shí)存在基于傳統(tǒng)SE信號(hào)和微分信號(hào)的兩種規(guī)格產(chǎn)品。
根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人員的介紹,DDR4內(nèi)存將會(huì)是Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號(hào))方式DifferentialSignaling( 差分信號(hào)技術(shù) )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對(duì)此表示了確認(rèn)。預(yù)計(jì)這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將會(huì)推出不同的芯片產(chǎn)品,因此在DDR4內(nèi)存時(shí)代我們將會(huì)看到兩個(gè)互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。
6.DDR5
新的繪圖記憶體的承諾,較低的能量消耗量和數(shù)據(jù)傳輸在6 Gbps的每秒
我們只看到極少數(shù)的繪圖卡使用gddr4記憶直至目前為止,但三星已就此案與下一代的gddr5記憶體,并聲稱它的樣本已經(jīng)發(fā)出了向主要的圖形處理器公司。
當(dāng)然,三星并不是第一家公司開(kāi)始采樣gddr5的記憶。雙方Hynix和奇夢(mèng)達(dá)還宣布了類似的零件在十一月,但三星的記憶已經(jīng)進(jìn)了一步提供了數(shù)據(jù)傳輸速率6gb/sec ,超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)5gb/sec 。因此,三星,大膽聲稱它的產(chǎn)品'世界上速度最快的記憶體, '和說(shuō),它的'能夠傳輸移動(dòng)影像及相關(guān)數(shù)據(jù),在24千兆字節(jié)每秒。
以及增加帶寬, gddr5記憶體也比較低功耗的要求,三星公司聲稱其記憶體運(yùn)作,只是1.5 。
三星是目前采樣512MB的gddr5芯片( 16 MB × 32 ) ,和mueez迪恩,三星的市場(chǎng)營(yíng)銷主管繪圖記憶體,他說(shuō),該記憶體'將使種圖形硬體的表現(xiàn)將推動(dòng)軟件開(kāi)發(fā)商提供了一個(gè)新臺(tái)階眼膨化游戲。不過(guò),我們可能要等待一段時(shí)間之前, gddr5成為普遍。三星公司估計(jì),該記憶體將成為'事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn),在頂端表演細(xì)分市場(chǎng)'在2010年,當(dāng)公司說(shuō),它將帳戶為' 50 %以上的高年底PC圖形市場(chǎng)。
LOGO釋意二:跳舞機(jī)
DDR是單詞Dance Dance Revolution的縮寫(xiě),中文意為熱舞革命。日本柯納米公司首創(chuàng)的跳舞機(jī),國(guó)內(nèi)很多大型的電玩店中都能看到它 的影子。游戲要求配合電子舞曲跳出完美的舞步,所用音樂(lè)大都是耳熟能詳?shù)臒衢T(mén)歌曲。
DDR滿足了年輕人強(qiáng)烈的表現(xiàn)欲,而跳舞本來(lái)一直是年輕人熱衷的休閑活動(dòng),將這兩大因素結(jié)合在一起的結(jié)果……就是一發(fā)不可收拾。DDR大有將游戲機(jī)中心變?yōu)榈纤箍浦畡?shì),一改往日以手為主的傳統(tǒng)玩法,整個(gè)過(guò)程都是用腳來(lái)完成,力求在游戲機(jī)這個(gè)狹小的空間里,體會(huì)到和在迪斯科里跳舞一樣的感覺(jué)。
●跳舞機(jī)于1998年暑假在日本推出,當(dāng)時(shí)臺(tái)灣游戲資訊界名人胡龍?jiān)苿偤檬茉撚螒虻闹谱鞴綤ONAMI(柯納米)邀請(qǐng)赴日。胡覺(jué)得這個(gè)游戲深具潛力,同時(shí)認(rèn)識(shí)到如果該游戲真的引發(fā)風(fēng)潮,勢(shì)必帶動(dòng)社會(huì)重新思考大型電子游戲機(jī)的真正意義?;诖?,胡一回到臺(tái)灣即積極與相關(guān)業(yè)者聯(lián)絡(luò)引進(jìn)這種大型電子游戲機(jī)———跳舞機(jī)。經(jīng)過(guò)一年多的努力,跳舞機(jī)在臺(tái)灣大行其道。
●看到臺(tái)灣在跳舞機(jī)大行其道之下所引發(fā)的良性的效應(yīng),為了持續(xù)加溫這股游戲風(fēng)潮以及改變部分有關(guān)單位對(duì)大型電玩的先入為主的不良印象,日本KONAMI公司隨后舉行了一次盛大的DDR勁爆熱舞花式大賽。
●1999年4月,DDR從大型機(jī)臺(tái)移植為家用PS(PlayStation,索尼公司出品的游戲機(jī))版本并開(kāi)始發(fā)行后,不只是一般青少年深深著迷,許多成人甚至演藝界名人也陸續(xù)成為DDR的超級(jí)玩家,比如張學(xué)友、陳小春、吳君如等。
●在日本,基于音樂(lè)游戲的風(fēng)行,游戲研發(fā)廠商也立刻跟風(fēng)推出數(shù)款類似的游戲機(jī)臺(tái),一度引發(fā)日本游戲業(yè)界的互控抄襲案件。
●跳舞機(jī)的好處之一是女孩子也紛紛加入進(jìn)來(lái),不少舞林高手是女孩子—— ——跳舞機(jī),不就是動(dòng)腦子的DISCO嗎?但是,那些比較害羞的玩家,平時(shí)對(duì)著異性說(shuō)句話就會(huì)臉紅,怎么好意思在大庭廣眾下扭來(lái)扭去?好在索尼公司將其移植到PS上,同時(shí)推出了配套的舞毯,把游戲場(chǎng)所轉(zhuǎn)移到家中,想怎么玩就怎么玩。并且跳舞毯多了一項(xiàng)"自設(shè)步法”的功能,買(mǎi)回去連上電視屏幕,即能在家里大顯身手。不過(guò),聽(tīng)說(shuō)現(xiàn)在許多家庭婦女也想擁有一張如此新忸的玩意,并非趕潮流,而是作減肥之用。跳舞毯面市之后,價(jià)位呈直線下降趨勢(shì)。
當(dāng)年我對(duì)跳舞機(jī)可以說(shuō)是玩到瘋狂的地步 經(jīng)常逃課去玩
跳舞機(jī)的玩法十分簡(jiǎn)單。游戲開(kāi)始時(shí),聽(tīng)著音樂(lè),看屏幕畫(huà)面的右下方,會(huì)不斷出現(xiàn)上、下、左、右的箭頭,只要箭頭移到頂部指定位置,玩家用腳踩對(duì)應(yīng)踏板即可。例如箭頭向左,則踩左方踏板,如此類推地跟著跳,如果踩到踏板和箭頭提示的不一樣,你的能量計(jì)(屏幕左上方的紅格部分)就會(huì)減少,當(dāng)能量完全消失就代表你已經(jīng)"完蛋了”,并且會(huì)聽(tīng)到一些十分難聽(tīng)的音效。如果你正確地輸入了指令,便能夠得到Perfect”或"Great”的等級(jí),如果這兩個(gè)等級(jí)連續(xù)出現(xiàn),畫(huà)面上將出現(xiàn)"Combo”的字樣,你的分?jǐn)?shù)也會(huì)倍增;不過(guò),當(dāng)"Good”、"Boo”或"Miss”出現(xiàn)的話,你的Combo分值就得重新計(jì)算。這游戲的感覺(jué)就像真的跳舞那樣,當(dāng)你隨著節(jié)拍跳動(dòng)的時(shí)候,就知道為什么那么多人如此迷戀這個(gè)游戲了!
跳舞機(jī)有單人玩的,也有雙人玩的,難度可分八級(jí),以適合不同程度的玩家。最簡(jiǎn)單的如隨音樂(lè)"Have You Ever Been Mellow ”,只需"前、后、前、后、前、左”六個(gè)動(dòng)作便完成。當(dāng)然,如果你連八級(jí)都不在話下了,那么你不妨試一下舞林高手自創(chuàng)的一些花式,比如說(shuō)玩倒立,整個(gè)人頭下腳上,只用手按踏板;或者玩跪地,像跳霹靂舞一樣,改用膝頭撞地;再不就玩轉(zhuǎn)身,一個(gè)人玩"雙打”,通常玩的四個(gè)踏板變成了八個(gè),讓你手腳并用,忙得團(tuán)團(tuán)轉(zhuǎn)。DDR基本步
關(guān)東步(此步法起源于日本關(guān)東):方法是重心腳或比較不靈活的那只腳總是停留在某個(gè)箭頭上,只使用比較靈活的那只腳踩踏板。
優(yōu)點(diǎn):命中率奇高,容易得到Combo,而且體力消耗也比較少。
缺點(diǎn):"慣用腳”的疲勞度上升較快,舞姿相對(duì)起來(lái)也不太優(yōu)美。
關(guān)西步(同理,此步法起源于日本關(guān)西):方法是在單向輸出的時(shí)候總有一只腳停留在中心位置,利用小跳躍來(lái)增強(qiáng)跳舞時(shí)的節(jié)奏感。
優(yōu)點(diǎn):在音樂(lè)節(jié)拍慢的時(shí)候也能保持較強(qiáng)的節(jié)奏感和較高的命中率,舞姿看起來(lái)也相當(dāng)有青春的氣息。
缺點(diǎn):連續(xù)的小跳躍要消耗很多的體力,而在箭頭連續(xù)出現(xiàn)的時(shí)候容易出現(xiàn)失誤。
自由步:舞步?jīng)]有一定的規(guī)律,完全按照自己的意愿來(lái)進(jìn)行。
優(yōu)點(diǎn):接近真正意義上的"跳舞”,舞姿亦比較華麗;加上是非限制性的步法,重心腳經(jīng)常變換,所以跳起來(lái)的時(shí)候是不會(huì)太累的。
缺點(diǎn):除了命中率不高外,下腳的位置選擇不好的話動(dòng)作可能會(huì)比較散亂,其后果輕則引來(lái)在場(chǎng)觀眾的倒彩,嚴(yán)重者請(qǐng)小心迎面飛來(lái)的投擲物。
十字游走:基本上是"關(guān)東”的改進(jìn)型,方法是踩完箭頭的腳停在剛才的箭頭上,用另外一只腳踩下一個(gè)箭頭,如此循環(huán)下去(關(guān)鍵是換腳的時(shí)候位置要選擇好)。
優(yōu)點(diǎn):很酷的步法,在一些大型游戲中心里的玩家大都使用這種步法;因?yàn)檫@個(gè)方法跳起來(lái)很有真正"表演”的感覺(jué),而且由于跳躍的動(dòng)作極少,給人以瀟灑感覺(jué),同時(shí)又能夠節(jié)省體力(如果熟練了之后,命中率也不差)。
缺點(diǎn):還是那句:"換腳的時(shí)候位置要選擇好”,不然的話動(dòng)作會(huì)比較難看。
[編輯本段]釋意三:撥號(hào)路由選擇
dial-on-demand routing(DDR)
dial-on demand routing (ddr)是用公共電話網(wǎng)提供了網(wǎng)絡(luò)連接。通常的,廣域網(wǎng)大多數(shù)使用專線連接的,路由器連接到類似MODEM OR ISDNTAS 的數(shù)據(jù)終端DCE設(shè)備上,他們支持同步V.25BITS協(xié)議,你可以用SCRIPTS AND DIALER命令設(shè)定撥號(hào)串。
DDR比較適用于用戶對(duì)數(shù)率要求不高,偶爾有數(shù)據(jù)傳輸或只是在特定時(shí)候傳輸數(shù)據(jù),比如銀行每晚傳送報(bào)表等等情況下。
當(dāng)一個(gè)感興趣的包到達(dá)路由器時(shí),產(chǎn)生一個(gè)DDR請(qǐng)求,路由器發(fā)送呼叫建立信息給指定的串口的DCE設(shè)備,這個(gè)呼叫就把本地的和遠(yuǎn)程的設(shè)備連接起來(lái),一旦沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸,空閑時(shí)間開(kāi)始記時(shí),超過(guò)設(shè)置的記時(shí)時(shí)間,連接終止。DDR現(xiàn)在都用靜態(tài)路由來(lái)傳輸數(shù)據(jù),避免路由交換引起的DDR撥號(hào)。
和XNS可以通過(guò)DDR路由尋址,同步串口,異步串口和ISDN端口可以配置成到一個(gè)或多個(gè)目的地的DDR連接。
下面是一個(gè)典型的DDR連接:
在配置DDR過(guò)程中,我們可以把一個(gè)或幾個(gè)物理端口配置成一個(gè)邏輯撥號(hào)接口,他可以是同步V.25方式,同步DYR啟動(dòng)撥號(hào)或異步CHATSCRIPT方式
在端口配置模式下:
在一個(gè)端口激活DIAL-ON-DEMAND ROUTING
命令:dialer in-band
指定一個(gè)端口為撥號(hào)訪問(wèn)組:dialer-group group-number
指定一個(gè)單一電話號(hào)碼:dialer string dialer-string
斷線前空前等待時(shí)間:dialer idle-time seconds
定義一個(gè)或多個(gè)目的電話號(hào)碼表:
dialer map protocol net-hop-addre
[編輯本段]釋意四:德意志民主共和國(guó)的縮寫(xiě)
Deutsche Demokratische Republic,DDR
(前)德意志民主共和國(guó)(1949年-1990年)(德文:Deutsche Demokratische Republic,DDR),簡(jiǎn)稱(前)東德或(前)民主德國(guó),是1949年到1990年之間,存在于今日德國(guó)東部的社會(huì)主義國(guó)家,1990年并入德意志聯(lián)邦共和國(guó)(西德)。
最佳回答:
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。
簡(jiǎn)單的說(shuō)DDR是SDRAM的加強(qiáng)版,性能至少?gòu)?qiáng)一倍以上!
DDR3比DDR2的內(nèi)存性能又至少?gòu)?qiáng)一倍以上,且接口也不一樣,功耗,性能,超頻能力都是DDR3內(nèi)存強(qiáng)大
SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。
其他答案1:
ddr是從sdram上發(fā)展過(guò)來(lái)的。
性能的區(qū)別:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí),存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來(lái)精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。
DDR2你可以把它比擬成雙車道,DDR3可以比擬成三車道
其他答案2:
DDR3的特點(diǎn)是容量高 前段總頻率一般為1333和1666
其他答案3:
直接在問(wèn)問(wèn)向我提問(wèn)……
最佳回答:
三種規(guī)格的內(nèi)存,卡槽長(zhǎng)度是一樣的,但中間的凸點(diǎn)位置不一樣,電壓也不一樣,針腳也不一樣,要是這樣看的話,一邊卡槽邊上都有標(biāo)記幾代內(nèi)存,DDR DDRⅡ DDRⅢ的字樣,或者看卡槽中間一般都表有電壓,2.5V的是DDR內(nèi)存槽,1.8V的是DDR2內(nèi)存槽,1.5V的是DDR3內(nèi)存槽,如果就憑中間的凸點(diǎn)位置的話用肉眼不好判斷,數(shù)針腳的話也不太現(xiàn)實(shí),180-190針腳數(shù)起來(lái)很費(fèi)勁
其他答案1:
卡槽可能類似 但是不能通用
其他答案2:
網(wǎng)上找的,看看。
最佳回答:
DDR2 現(xiàn)在是主流…DDR現(xiàn)在貴…DDR3剛出的?
麻煩采納,謝謝!
其他答案1:
184針(DDR即DDR1)跟240針(DDR2).即使插混了,也很容易看出來(lái). 有耐心的話數(shù)一下^-^ 其實(shí)一看就看的出來(lái)了,上面標(biāo)簽也可以參考一下. 有幾個(gè)主要區(qū)別: 1,DDRI的工作電壓為2.5V,DDRII的工作電壓為1.8v。 2,DDRI的PIN腳為180pin,DDRII的pin腳為220pin 3,DDRI的主頻為266/333/400,DDRII的主頻為400/533/667MHz. DDR1的頻率最高到400,DDR2的最高到800,DDR3的則更高了。三者不同類型的不可以混插,同代產(chǎn)品向下兼容,DDR1的333 和DDR1的400 可以混插,不同代的DDR不能混用。 軟件的話用EVEREST比較準(zhǔn)而且全面,能看整個(gè)電腦所有的硬件而且可以簡(jiǎn)單測(cè)試CPU和內(nèi)存的性能,CPU-Z體積比較小巧但只能測(cè)CPU和內(nèi)存及主板。 補(bǔ)充:最直觀的就是看內(nèi)存上有一個(gè)數(shù)據(jù),PC3200 PC4200 PC5300之類的,3200是DDR1 400的,4200是DDR2 533的,5300是DDR2 667的。 DDR2與DDR的區(qū)別 與DDR相比,DDR2最主要的改進(jìn)是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下,可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過(guò)在每個(gè)設(shè)備上高效率使用兩個(gè)DRAM核心來(lái)實(shí)現(xiàn)的。作為對(duì)比,在每個(gè)設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個(gè)DRAM核心。技術(shù)上講,DDR2內(nèi)存上仍然只有一個(gè)DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中處理4個(gè)數(shù)據(jù)而不是兩個(gè)數(shù)據(jù)。 DDR2與DDR的區(qū)別示意圖 與雙倍速運(yùn)行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合,DDR2內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了在每個(gè)時(shí)鐘周期處理多達(dá)4bit的數(shù)據(jù),比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個(gè)改進(jìn)之處在于,它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。 然而,盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣,但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DR2內(nèi)存,因?yàn)镈DR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣,DDR2的針腳數(shù)量為240針,而DDR內(nèi)存為184針;其次,DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V,也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。 DDR2的定義: DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。Q句話說(shuō),DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。 此外,由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式,F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷程,從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過(guò)DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù),第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限,已經(jīng)很難通過(guò)常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展,前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來(lái)越高,擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。 DDR2與DDR的區(qū)別: 在了解DDR2內(nèi)存諸多新技術(shù)前,先讓我們看一組DDR和DDR2技術(shù)對(duì)比的數(shù)據(jù)。 1、延遲問(wèn)題: 從上表可以看出,在同等核心頻率下,DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說(shuō),雖然DDR2和DDR一樣,都采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說(shuō),在同樣100MHz的工作頻率下,DDR的實(shí)際頻率為200MHz,而DDR2則可以達(dá)到400MHz。 這樣也就出現(xiàn)了另一個(gè)問(wèn)題:在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中,后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來(lái)說(shuō),DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲,而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上,DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬,它們都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作頻率是200MHz,而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz,也就是說(shuō)DDR2-400的延遲要高于DDR400。 2、封裝和發(fā)熱量: DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。 DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上,當(dāng)頻率更高時(shí),它過(guò)長(zhǎng)的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容,這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式,F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了良好的保障。 DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓,相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量,這一點(diǎn)的變化是意義重大的。 DDR2采用的新技術(shù): 除了以上所說(shuō)的區(qū)別外,DDR2還引入了三項(xiàng)新的技術(shù),它們是OCD、ODT和Post CAS。 OCD(Off-Chip Driver):也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整,DDR II通過(guò)OCD可以提高信號(hào)的完整性。DDR II通過(guò)調(diào)整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過(guò)減少DQ-DQS的傾斜來(lái)提高信號(hào)的完整性;通過(guò)控制電壓來(lái)提高信號(hào)品質(zhì)。 ODT:ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上,不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的,終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率,終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號(hào)反射低但是信噪比也較低;終結(jié)電阻高,則數(shù)據(jù)線的信噪比高,但是信號(hào)反射也會(huì)增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組,還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自已的特點(diǎn)內(nèi)建合適的終結(jié)電阻,這樣可以保證最佳的信號(hào)波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,還得到了最佳的信號(hào)品質(zhì),這是DDR不能比擬的。 Post CAS:它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中,CAS信號(hào)(讀寫(xiě)/命令)能夠被插到RAS信號(hào)后面的一個(gè)時(shí)鐘周期,CAS命令可以在附加延遲(Additive Latency)后面保持有效。原來(lái)的tRCD(RAS到CAS和延遲)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中進(jìn)行設(shè)置。由于CAS信號(hào)放在了RAS信號(hào)后面一個(gè)時(shí)鐘周期,因此ACT和CAS信號(hào)永遠(yuǎn)也不會(huì)產(chǎn)生碰撞沖突。 總的來(lái)說(shuō),DDR2采用了諸多的新技術(shù),改善了DDR的諸多不足,雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足,但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善,這些問(wèn)題終將得到解決
最佳回答:
速度在不斷飆升!AMD的AM2接口 K8架構(gòu)處理器引入最高DDR2 800的支持,而Intel也會(huì)在7月23日發(fā)布萬(wàn)眾期待的Conroe處理器并進(jìn)行史上規(guī)模最大的“恐怖襲擊”;桌面PC市場(chǎng)有望在2006年全面進(jìn)入DDR2 800極速時(shí)代。
RD600支持1500Mhz的前端總線超頻,可惜在Computex 2006臺(tái)北電腦展上面,RD600似乎“臨時(shí)放棄”了DDR3內(nèi)存的支持,轉(zhuǎn)為支持DDR2 1066的支持,DDR3內(nèi)存未能在2006年Q2進(jìn)入市場(chǎng)。
DDR3相比起DDR2有更高的工作電壓, 從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度,由于目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3內(nèi)存模組將會(huì)從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個(gè)內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。
一、DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì):
DDR3
1.8bit預(yù)取設(shè)計(jì),而DDR2為4bit預(yù)取,這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2.采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu),以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。
3.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝,將工作電壓從1.8V降至1.5V,增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能。
二、DDR3與DDR2幾個(gè)主要的不同之處 :
1.突發(fā)長(zhǎng)度(Burst Length,BL)
由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(Burst Length,BL)也固定為8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時(shí)可通過(guò)A12地址線來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。
2.尋址時(shí)序(Timing)
就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間,而DDR3則在5~11之間,且附加延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0~4,而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫(xiě)入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。
3.DDR3新增的重置(Reset)功能
重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能,并為此專門(mén)準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能,如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí),DDR3內(nèi)存將停止所有操作,并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài),以節(jié)約電力。
在Reset期間,DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能,所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉,所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位,DLL(延遲鎖相環(huán)路)與時(shí)鐘電路將停止工作,而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái),將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能
ZQ也是一個(gè)新增的腳,在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集,通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后,將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期(在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期,在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期)對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。
5.參考電壓分成兩個(gè)
在DDR3系統(tǒng)中,對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào),即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ,這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。
6.點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接(Point-to-Point,P2P)
這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng),也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中,一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道,而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽,因此,內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)(P2P)的關(guān)系(單物理Bank的模組),或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)(Point-to-two-Point,P22P)的關(guān)系(雙物理Bank的模組),從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM(臺(tái)式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(服務(wù)器)之分,其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2(高級(jí)內(nèi)存緩沖器)。
面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢(shì),此外,由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎,就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域,DDR3未來(lái)也是一片光明。目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其將支持DDR3規(guī)格,而AMD也預(yù)計(jì)同時(shí)在K9平臺(tái)上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。這資料太多,慢慢看吧
其他答案1:
簡(jiǎn)單的說(shuō),DDR3比DDR2好,目前所有新出的電腦是DDR3的。DDR2已經(jīng)淘汰…..
其他答案2:
是第2代和第3代的意思,就像蘋(píng)果4,蘋(píng)果5
其他答案3:
通道,ddr3明顯比ddr2好,如果2個(gè)同樣內(nèi)存,還可以交火,效果較好。
最佳回答:
ddr是2.5v ddr2是1.8v ddr3是1.5v左右。
各代內(nèi)存工作電壓不同主要是因?yàn)橹瞥坦に嚨纳?jí),不同工藝的芯片需要的電壓也不同,制成越先進(jìn),需要的電壓越低。列如ddr3內(nèi)存芯片制成一般是40nm,而ddr2大多是60nm左右。ddr3比ddr2需要的電壓少大約0.3v。因?yàn)橄嗤瑪?shù)量的晶體管,制成小的,線路載體小,發(fā)熱小,電流損耗小,所需電壓小。所以內(nèi)存芯片電壓不同。cpu和顯卡等同理。
(原創(chuàng)非復(fù)制= =)
其他答案1:
得購(gòu)買(mǎi)
由于受到國(guó)際DRAM價(jià)格走勢(shì)上漲的影響,DDR400MHz 16Mb上調(diào)0.02美元,今天的報(bào)價(jià)為2.58美元;DDR333MHz 16Mb也攀高0.03美元,今天的報(bào)價(jià)為2.62美元。加上步入暑期消費(fèi)旺季,內(nèi)存市場(chǎng)在上星期開(kāi)始全面爆漲,主流的512M已突破400大元,上漲幅度最高達(dá)到30多元。其中比較受消費(fèi)者歡迎的kingston 512M DDR400不知不覺(jué)的升到410元左右了。盡管近日內(nèi)存不斷上漲,估計(jì)近期內(nèi)存價(jià)格下降的可能性不大,始終“該出手時(shí)就要出手”,有購(gòu)買(mǎi)欲的朋友情快些出手啦!
2、未來(lái)主流DDR2及最新價(jià)格
INTEL945、955等主流芯片組已經(jīng)全面推廣DDR2內(nèi)存,主流的DDR2 533在新能上還未能超越DDR400,甚至某些方面比DDR400更落后。其原因在于DDR2先天的硬傷—內(nèi)存CAS延遲時(shí)間(CAS Latency),DDR2的CAS延遲時(shí)間通常設(shè)定為3、4、5,和DDR內(nèi)存的2、2.5、3相比要慢一些。在這樣的前提下最優(yōu)化時(shí)序的DDR2 SDRAM內(nèi)存模組比同樣優(yōu)化的同頻率DDR SDRAM內(nèi)存模組比較會(huì)在內(nèi)存帶寬上處于劣勢(shì),而這樣的情況在目前800FSB的P4 CPU平臺(tái)上會(huì)比較普遍,因此Intel在桌面芯片組上選擇了DDR2-533的設(shè)定將內(nèi)存異步于CPU以改善性能。當(dāng)DDR2被應(yīng)用在DDR無(wú)法達(dá)到的高頻率并和未來(lái)高FSB CPU配合使用時(shí),這種相對(duì)的劣勢(shì)才能得以消除,所以未來(lái)正式主流的DDR2內(nèi)存頻率應(yīng)該是800多者更高。不過(guò)往往最初推出的新規(guī)格內(nèi)存,并不代表內(nèi)存的真實(shí)性能,往往改進(jìn)過(guò)后的產(chǎn)品,才能充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能?,F(xiàn)在的DDR2 533好比是當(dāng)年的DDR 266或者是SD-RAM時(shí)代的PC100,未來(lái)DDR2 800或者更高規(guī)格的廣泛推出市場(chǎng)的時(shí)候,才能真正取代DDR400。不知道是不是由于受到AMD告INTEL壟斷的緣故,加上生產(chǎn)工藝的不斷提高,生產(chǎn)成本有所降低,促使DRAM生產(chǎn)商擁有降低DDR2顆粒的售價(jià),6月中旬,市面上的DDR2 533內(nèi)存條已經(jīng)比幾個(gè)月前消費(fèi)者不能接受的天價(jià)降低了許多,價(jià)格甚至可以和中高檔的DDR內(nèi)存對(duì)砍。這消息無(wú)疑是對(duì)消費(fèi)者的一個(gè)利好消息,現(xiàn)在INTEL采用支持DDR2內(nèi)存芯片組的主板已賣(mài)得很便宜,拼裝采用DDR2內(nèi)存平臺(tái)的機(jī)器并不比一般普通采用DDR內(nèi)存的機(jī)器要貴,DDR2再也不是極少數(shù)硬件發(fā)燒友。到截稿為止,現(xiàn)時(shí)多數(shù)品牌的DDR2 512M內(nèi)存條通常在500左右的價(jià)位,三星金條DDR2 400報(bào)500元,A-DARA Vitesta DDRII533紅色威龍內(nèi)存條報(bào)價(jià)為495,宇瞻的DDR2 報(bào)580元。而最超值實(shí)惠的是南亞elixir DDR2 533 512M報(bào)399,突破了400元的心理消費(fèi)價(jià)格,對(duì)于其他品牌有一定的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。而且售后服務(wù)還不錯(cuò),提供一年包換三年保修的服務(wù),而同規(guī)格的265M只售199元。
二、消費(fèi)指南Q/A(問(wèn)與答)
Q1:多少內(nèi)存才夠用?
A1:內(nèi)存多大才夠用,當(dāng)然韓信點(diǎn)兵,多多益善。是從現(xiàn)在使用環(huán)境來(lái)看,256M容量肯定不夠用,現(xiàn)在WINDOWS XP后臺(tái)加載的任務(wù)加上常用軟件后臺(tái)(如防火墻)等起碼占用130M以上,給用戶使用的內(nèi)存已少得可憐,導(dǎo)致會(huì)降低系統(tǒng)性能。512M肯定是最基本的要求,可以滿足現(xiàn)在的基本需要。不過(guò)筆者覺(jué)得如果金錢(qián)比較寬裕,可以考慮購(gòu)買(mǎi)1G容量,畢竟,現(xiàn)在的軟件對(duì)內(nèi)存容量的要求越來(lái)越高,1G容量并不過(guò)分。購(gòu)買(mǎi)兩條512M組成雙通道平臺(tái),價(jià)格大約需要800元,并是奢侈的東西。擁有1G物理內(nèi)存,建議大家關(guān)閉WINDOWS的虛擬內(nèi)存管理,對(duì)于系統(tǒng)性能會(huì)有很大的提高,畢竟內(nèi)存比硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度快多了。
Q2:為什么一般的內(nèi)存賣(mài)得那么便宜,為什么一些高檔的內(nèi)存那些要貴很多,他們有什么區(qū)別?是否值得購(gòu)買(mǎi)?
A2:CPU、顯示卡有分低中高檔次,內(nèi)存也一樣。高檔的內(nèi)存一般是針對(duì)追求高性能或者是超頻的用戶設(shè)計(jì),價(jià)格也比一般的內(nèi)存要貴很多,可能購(gòu)買(mǎi)512M普通內(nèi)存的價(jià)錢(qián)才能買(mǎi)到256M的超頻內(nèi)存。超頻玩家會(huì)使用比標(biāo)準(zhǔn)外頻更高的非標(biāo)準(zhǔn)頻率,在這時(shí)候內(nèi)存的頻率也會(huì)同樣提高。正所謂好馬需要配好鞍,高檔內(nèi)存采用高檔的內(nèi)存顆粒(如著名的三星TCCD)他們的頻率、時(shí)序和工作參數(shù)比一般的內(nèi)存要高很多,例如在DDR500這樣高的頻率下也可以運(yùn)行在2-2-2-8(不明白是什么意思,請(qǐng)看下一段的注解)這么高的時(shí)序。高檔內(nèi)存正好滿足了可以需要,為系統(tǒng)提供一個(gè)穩(wěn)定的工作環(huán)境。這無(wú)疑是超頻玩家的福音。對(duì)于普通用戶來(lái)說(shuō),一般的內(nèi)存只要可以提供優(yōu)良的兼容性、穩(wěn)定的工作環(huán)境已足夠,每必要浪費(fèi)過(guò)多的金錢(qián)。
其實(shí)電腦是一個(gè)更新、淘汰非??斓漠a(chǎn)品,對(duì)于購(gòu)買(mǎi)最好還是到電腦城里去咨詢,根據(jù)個(gè)人的需要來(lái)進(jìn)行配置,并不是夏季買(mǎi)什么機(jī)型冬季買(mǎi)的機(jī)型,沒(méi)有那一說(shuō),等你買(mǎi)了電腦,我來(lái)給你介紹一下夏季電腦的保養(yǎng)與維修小常識(shí):
一般來(lái)說(shuō),計(jì)算機(jī)在正常工作時(shí)發(fā)出的聲音很小,除了硬盤(pán)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)發(fā)出的聲音外,主要是散熱風(fēng)扇發(fā)出的聲音,其中尤以開(kāi)關(guān)電源風(fēng)扇發(fā)出的聲音最大。有的開(kāi)關(guān)電源長(zhǎng)期使用后,在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生一些噪聲,主要是由于電源風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng)不暢造成的。引起電源風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng)不暢發(fā)出噪聲的原因很多,主要集中在以下幾個(gè)方面:
–風(fēng)扇電機(jī)軸承接套產(chǎn)生軸向偏差,造成風(fēng)扇風(fēng)葉被卡住或擦邊,發(fā)出"突突"的聲音。
–風(fēng)扇電機(jī)軸承松動(dòng),使得葉片在旋轉(zhuǎn)時(shí)發(fā)出"嗡嗡"的聲音。
–風(fēng)扇電機(jī)軸向竄動(dòng),由于墊片的磨損,軸向空隙增大,加電后發(fā)出"突突"的聲音。
–風(fēng)扇電機(jī)軸承中使用了劣質(zhì)潤(rùn)滑油,在環(huán)境溫度較低時(shí)容易跟進(jìn)入風(fēng)扇軸承的灰塵凝結(jié)在一起,增加了電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的阻力,使電機(jī)發(fā)出"嗡嗡"的聲音。
如果風(fēng)扇工作不正常,時(shí)間長(zhǎng)了就有可能燒毀電機(jī),造成整個(gè)開(kāi)關(guān)電源的損壞。針對(duì)以上電源風(fēng)扇發(fā)出聲音的原因,平時(shí)需要進(jìn)行如下維護(hù)保養(yǎng)工作。
電源盒是最容易集結(jié)灰塵的地方,如果電源風(fēng)扇發(fā)出的聲音較大,一般每隔半年把風(fēng)扇拆下來(lái),清洗一下積塵和加點(diǎn)潤(rùn)滑油,進(jìn)行簡(jiǎn)單維護(hù)。由于電源風(fēng)扇是封在電源盒內(nèi),拆卸不太方便,所以一定要注意操作方法。
(1)拆風(fēng)扇
先斷開(kāi)主機(jī)電源,拔下電源背后的輸入、輸出線插頭。然后再拔下與電源連接的所有配件的插頭和連線,卸下電源盒的固定螺絲,取出電源盒。觀察電源盒外觀結(jié)構(gòu),合理準(zhǔn)確地卸下螺絲,取下外罩。取外罩時(shí)要把電線同時(shí)從缺口處撬出來(lái)。卸下固定風(fēng)扇的四個(gè)螺絲,取出風(fēng)扇,可以暫不焊下兩根電源線。
(2)清洗積塵
用紙板隔離好電源電路板與風(fēng)扇后,可用小毛刷或濕布擦拭積塵,擦拭干凈即可。也可以使用皮老虎吹風(fēng)扇風(fēng)葉和軸承中的積塵。
(3)加潤(rùn)滑油
撕開(kāi)不干膠標(biāo)簽,用尖嘴鉗挑出橡膠密封片。找到電機(jī)軸承,一邊加潤(rùn)滑油,一邊用手撥動(dòng)風(fēng)扇時(shí),使?jié)櫥脱刂S承均勻流入,一般加幾滴即可。要注意滾珠軸承的風(fēng)扇是否有兩個(gè)軸承,別忽略了給進(jìn)風(fēng)面的軸承上油,上油不要只上在主軸上。
潤(rùn)滑油一定要使用計(jì)算機(jī)專用潤(rùn)滑油或高級(jí)輕質(zhì)縫紉機(jī)油,千萬(wàn)不可用一般汽車上使用的潤(rùn)滑油。最后裝上橡膠密封片,貼上標(biāo)簽。
(4)加墊片
如果風(fēng)扇發(fā)出的是較大的"突突"噪聲,一般光清洗積塵和加潤(rùn)滑油是不能解決問(wèn)題的,這時(shí)拆開(kāi)風(fēng)扇后會(huì)發(fā)現(xiàn)扇葉在軸向滑動(dòng)距離較大。取出橡膠密封片后,用尖嘴鉗分開(kāi)軸上的卡環(huán),下面是墊片,此時(shí)可取出風(fēng)扇轉(zhuǎn)子(與扇葉連成一行),以原墊片為標(biāo)準(zhǔn),用厚度適中的薄塑料片制成一個(gè)墊片。把制作好的墊片放入原有的墊片之間,注意墊片不要太厚,軸向要保持一定的距離。用手撥動(dòng)葉片,風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng)順暢就可以了。最后裝上卡環(huán)、橡膠密封片,貼上標(biāo)簽。記住主軸上的墊片、橡膠密封片、彈簧等小零件,以免散落后不知如何復(fù)位。
總之,電源是計(jì)算機(jī)工作的動(dòng)力,如果電源風(fēng)扇出了故障,引發(fā)的后果是嚴(yán)重的,因此要定期地對(duì)電源進(jìn)行維護(hù)和保養(yǎng)。
另?yè)?jù)數(shù)據(jù)表明,由電源造成的故障約占計(jì)算機(jī)整機(jī)各類部件總故障數(shù)的20%~30%。而對(duì)主機(jī)各個(gè)部分的故障檢測(cè)和維修,也必須建立在電源供應(yīng)正常的基礎(chǔ)上。下面我們對(duì)電源的常見(jiàn)故障做一些討論。
微機(jī)電源一般容易出的故障有以下幾種:保險(xiǎn)絲熔斷、電源無(wú)輸中或輸出電壓不穩(wěn)定、電源有輸出但開(kāi)機(jī)無(wú)顯示、電源負(fù)載能力差。下面分別介紹其檢修方法:
1.保險(xiǎn)絲熔斷故障分析與排除
出現(xiàn)此類故障時(shí),先打開(kāi)電源外殼,檢查電源上的保險(xiǎn)絲是否熔斷,據(jù)此可以初步確定逆變電路是否發(fā)生了故障。若是,則不外如下三種情況造成:輸入回路中某個(gè)橋式整流二極管被擊穿;高壓濾波電解電容C5、C6被擊穿·逆變功率開(kāi)關(guān)管Ql、Q2損壞。
其主要原因是因?yàn)橹绷鳛V波及變換振蕩電路長(zhǎng)時(shí)間工作在高壓(十300V)、大電流狀態(tài),特別是由于交流電壓變化較大、輸出負(fù)載較重時(shí),易出現(xiàn)保險(xiǎn)絲熔斷的故障。直流濾波電路由四只整流二極管、兩只100kΩ左右限流電阻和兩只330uF左右的電解電容組成;變換振蕩電路則主要由裝在同一散熱片上的兩只型號(hào)相同的大功率開(kāi)關(guān)管組成。
交流保險(xiǎn)絲熔斷后,關(guān)機(jī)拔掉電源插頭,首先仔細(xì)觀察電路板上各高壓元件的外表是否有被擊穿燒糊或電解液溢出的痕跡。若無(wú)異常,用萬(wàn)用表測(cè)量輸入端的值:若小于2OOkΩ,說(shuō)明后端有局部短路現(xiàn)象,再分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)大功率開(kāi)關(guān)管e、c極間的阻值;若小于100kΩ,則說(shuō)明開(kāi)關(guān)管已損壞,測(cè)量四只整流二極管正、反向電阻和兩個(gè)限流電阻的阻值,用萬(wàn)用表測(cè)量其充放電情況以判定是否正常。另外在更換開(kāi)關(guān)管時(shí),如果無(wú)法找到同型號(hào)產(chǎn)品而選擇代用品時(shí),應(yīng)注意集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓Vceo、集電極最大允許耗散功率Pcm、集電極-基極反向擊穿電壓Vcbo的參數(shù)應(yīng)大于或等于原晶體管的參數(shù)。再一個(gè)要注意的是:切不可在查出某元件損壞時(shí),更換后便直接開(kāi)機(jī),這樣很可能由于其它高壓元件仍有故障,又將更換的元件損壞。一定要對(duì)上述電路的所有高壓元件進(jìn)行全面檢查測(cè)量后,才能徹底排除保險(xiǎn)絲熔斷故障。
2.無(wú)直流電壓輸出或電壓輸出不穩(wěn)定
若保險(xiǎn)絲完好,在有負(fù)載情況下,各級(jí)直流電壓無(wú)輸出,其可能原因有:電源中出現(xiàn)開(kāi)路、短路現(xiàn)象;過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)電路出現(xiàn)故障;振蕩電路沒(méi)有工作;電源負(fù)載過(guò)重;高頻整流濾電路中整流二極管被擊穿;濾波電容漏電等。
處理方法為;用萬(wàn)用表測(cè)量系統(tǒng)板十5V電源的對(duì)地電阻,若大于0.8Ω,則說(shuō)明系統(tǒng)板無(wú)短路現(xiàn)象。將微機(jī)配置改為最小化,即機(jī)器中只留主板、電源、蜂鳴器,測(cè)量各輸出端的直流電壓,若仍無(wú)輸出,說(shuō)明故障出在微機(jī)電源的控制電路中。控制電路主要由集成開(kāi)關(guān)電源控制器(TL-496、GS3424等)和過(guò)壓保護(hù)電路組成,控制電路工作是否正常直接關(guān)系到直流電壓有無(wú)輸出。過(guò)壓保護(hù)電路主要由小功率三極管或可控硅及相關(guān)元件組成,可用萬(wàn)用表測(cè)量該三極管是否被擊穿(若是可控硅則需焊下測(cè)量),相關(guān)電阻及電容是否損壞。
3.電源有輸出,但開(kāi)機(jī)無(wú)顯示
出現(xiàn)此故障的可能原因是"POWER GOOD"輸入的Reset信號(hào)延遲時(shí)間不夠,或"POWER GOOD"無(wú)輸出。
開(kāi)機(jī)后,用電壓表測(cè)量"POWER GOOD"的輸出端(接主機(jī)電源插頭的1腳),如果無(wú)+5V輸出,再檢查延時(shí)元器件;若有+5V輸出,則更換延時(shí)電路的延時(shí)電容即可。
4.電源負(fù)載能力差
電源在只向主板、軟驅(qū)供電時(shí)能正常工作,當(dāng)接上硬盤(pán)、光驅(qū)或插上內(nèi)存條后,屏幕變自而不能正常工作。其可能原因有:晶體管工作點(diǎn)未選擇好,高壓濾波電容漏電或損壞,穩(wěn)壓二極管發(fā)熱漏電,整流二極管損壞等。
調(diào)換振蕩回路中各晶體管,使其增益提高,或調(diào)大晶體管的工作點(diǎn)。用萬(wàn)用表檢測(cè)出有問(wèn)題的部件后,更換可控硅、穩(wěn)壓二極管、高壓濾波電容或整流二極管即可。
其他答案2:
標(biāo)稱電壓
ddr 2.4v -2.5
二代 1.8v-1.9
三代 1.4v-1.5
因?yàn)閮?nèi)存容量越大,里面的集成的晶體管就越多,必然要 密集度變大,單位晶體管就小了,抗電壓能力也就小了,另外從功耗方面也是一樣(容量大-晶體管多-功耗大),電壓低可以減少功耗,另外技術(shù)的提高,可以在低電壓保證信號(hào)質(zhì)量,
我認(rèn)為(壞了別找我) 為了超頻或增加穩(wěn)定性,內(nèi)存 一般 比標(biāo)稱電壓高 0.2是絕對(duì)安全的,在高就要看內(nèi)存顆粒,耐壓有的高些有的低些。 一般顆粒大的耐壓普遍好些。
其他答案3:
工作電壓分別是 2.5V ,1.8V, 1.5V ,為什么會(huì)有這種變化,只要是因?yàn)榧夹g(shù)水平的提高,為了更好的降低功耗!
最佳回答:
因?yàn)镈DR3內(nèi)存現(xiàn)在是主流,DDR2是屬于停產(chǎn)的產(chǎn)品,沒(méi)貨就貴了,DDR1是停產(chǎn)更舊的產(chǎn)品,更加舊,就更加貴,物以稀為貴
其他答案1:
提高DDR2的價(jià)錢(qián) 是為了讓人們使用DDR3…這樣人們裝機(jī)就會(huì)考慮到價(jià)錢(qián)因素…當(dāng)內(nèi)存更新?lián)Q代的時(shí)候..就是瘋狂漲價(jià)的時(shí)候…去年夏天2G DDR2 300 2G DDR3 270..我那時(shí)候買(mǎi)了4G DDR3…現(xiàn)在虧的吐血…
最佳回答:
足夠的話,只是對(duì)個(gè)人用途而言,玩游戲當(dāng)然越大越好,只是打字的話,DDR1就足夠,頻率也關(guān)系質(zhì)量,但都不同等代的產(chǎn)品,頻率或多或少,沒(méi)有多大差距的問(wèn)題,都能用,這種就是看著人民幣而設(shè)定的
最佳回答:
不是的。假如頻率一樣,不考慮延時(shí)的話,理論上DDR2和DDR3性能是完全一樣的。如果考慮延時(shí)的問(wèn)題,DDR3會(huì)比DDR2要慢。
內(nèi)存有3個(gè)頻率:內(nèi)核頻率、I/O物理時(shí)鐘頻率和等效時(shí)鐘頻率。
假設(shè)我們現(xiàn)在有兩根內(nèi)存,一根是DDR2-800,另一根是DDR3-800(估且假設(shè)是用我的KST PC1333降頻下來(lái)的吧,呵~),我們來(lái)弄清楚它們各種頻率和預(yù)讀取位數(shù)之間的關(guān)系。
首先,800MHz指的是什么頻率?是I/O等效時(shí)鐘頻率,相信這一點(diǎn)大家都無(wú)異義。
那么接下來(lái),再來(lái)看物理時(shí)鐘頻率。DDR2、DDR3和DDR一樣,都是延數(shù)據(jù)的上行與下行各傳輸一次數(shù)據(jù),那么I/O物理時(shí)鐘頻率應(yīng)當(dāng)為800/2=400MHz。
接下來(lái)再來(lái)看被人最少提及的內(nèi)核時(shí)鐘頻率。內(nèi)核頻率是顯存顆粒真正的工作頻率。并且,內(nèi)核頻率=物理頻率/預(yù)讀取位數(shù)。在弄清內(nèi)核時(shí)鐘頻率之前,先了解一下預(yù)讀取。預(yù)讀取指一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),內(nèi)存可以從邏輯BANK中讀取多少位的數(shù)據(jù)。DDR是2位,DDR2是4位,DDR3是8位。換句話說(shuō),假如讀出相同的數(shù)據(jù)量,DDR3的內(nèi)核頻率只需要是DDR2的一半。那么,DDR3的內(nèi)核頻率就變成400/8=50MHz,而DDR2則是400/4=100MHz。
OK,這樣就應(yīng)該知道DDR2和DDR3的區(qū)別了。
DDR2:內(nèi)核頻率100MHz,預(yù)讀取位數(shù)4位,物理I/O頻率是100*4=400MHz,有效頻率是400*2=800MHz。
DDR3:內(nèi)核頻率50MHz,預(yù)讀取位數(shù)8位,物理I/O頻率是50*8=400MHz,有效頻率是400*2=800MHz。
看看,DDR3內(nèi)核頻率這么低,實(shí)在是非常浪費(fèi)的事。試試把它也做到100MHz看吧,于是,DDR3的頻率就變成1600MHz。這樣一來(lái),DDR3-1600的性能不就是DDR2-800的兩倍了么~~
那么對(duì)于DDR3-1333又是怎樣??jī)?nèi)核頻率就變成1333/2/8=83MHz,還是比DDR2-800的內(nèi)核頻率要低,芯片即然降了頻,那么內(nèi)存電壓也沒(méi)必要做那么高了,也降一點(diǎn),發(fā)熱也降一點(diǎn)好了…
OK,最后講一點(diǎn)延時(shí),因?yàn)檠訒r(shí)有很多種,比如像TRCD、TRP、TRAS、CAS等等等等(可能有十來(lái)種,一般主板BIOS里可以給你調(diào)的通常只有5、6種),就不一一解釋了(其實(shí)我也記不清)。存內(nèi)存諸數(shù)據(jù),就像是二維表格(你可以認(rèn)為是EXCEL表)。一根內(nèi)存可能有一個(gè)到多個(gè)EXCEL表,我要從中內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的話,先要找到存放這個(gè)數(shù)據(jù)的EXCEL表,然后再找到存儲(chǔ)這個(gè)數(shù)據(jù)的行和列。那么實(shí)際上,內(nèi)存讀寫(xiě)器找到這個(gè)表格需要一定的時(shí)間,打開(kāi)表格之后,讀寫(xiě)器定位到這個(gè)行,需要時(shí)間,定位到這個(gè)列,也需要時(shí)間。像定位到表所需要的時(shí)間,就是一種延時(shí),定位到行所需要的時(shí)間也是一種延時(shí)、定位到列也是種延時(shí)。再細(xì)分一點(diǎn)情況,可能讀寫(xiě)頭正好停在相臨的一列上,只要稍微挪那么一點(diǎn)就能找到數(shù)據(jù),那么又是種延時(shí)。讀寫(xiě)頭停在不同的EXCEL里,要從表A轉(zhuǎn)到表B,又是種延時(shí)…當(dāng)然,這里EXCEL表不叫EXCEL表,而叫做邏輯BANK,EXCEL的單元格叫做CELL,每個(gè)CELL能存放的數(shù)據(jù)量叫做數(shù)據(jù)深度…
OK,不管那么多復(fù)雜的術(shù)語(yǔ)了。來(lái)看看真實(shí)的情況。DDR2相對(duì)于DDR,預(yù)讀取位數(shù)增加了,但很遺憾,延時(shí)也增加了。不講為什么了,因?yàn)樵斍榭梢詁aidu得到。DDR3相對(duì)于DDR2,不好意思,延時(shí)又增加了…所以DDR3和DDR2頻率一樣的話,DDR3就會(huì)比DDR2要慢。
其他答案1:
恩不過(guò)理論上的東西沒(méi)意義。實(shí)際只能快不到30%.
其他答案2:
不是
理論并不等于事實(shí),至少我家的DDR3 4G 和 DDR2 4G 絕對(duì)不是兩倍的關(guān)系
至少說(shuō),快是快了,但不可能是快兩倍這么快,硬件市場(chǎng)天天更新,你總不能指望一次2倍這么個(gè)快法子吧!
至于說(shuō)DDR2 DDR 之間的關(guān)系,那是有兩倍了,當(dāng)然要在同頻率、同規(guī)格的前提下比較 而SD卡本身并不是跟ddr內(nèi)存同一級(jí)別的產(chǎn)品,相互比較已經(jīng)失去了意義(如今沒(méi)有人再用sdram了)
其他答案3:
玩游戲的時(shí)候可以體驗(yàn)出不同,其他沒(méi)有什么感覺(jué)